不同于普通化工腐蚀工况，晶圆清洗介质包含氨水、双氧水、氢氟酸、稀盐酸、光刻胶剥离液等高纯电子化学品，微量金属离子、微粒析出都会直接造成晶圆缺陷，降低芯片良率，同时介质兼具强腐蚀性，部分清洗槽长期处于加温循环状态，泵选型容错空间极低。